מערכת MBE

מערכת ה-Molecular Beam Epitaxy (MBE) שלנו היא ציוד גידול אפיטקסיאלי-בדיוק גבוה המוקדש לחומרים מוליכים למחצה מורכבים, במיוחד לחומרים הטרו-מבנה דקים- במיוחד. הוא משמש בעיקר בייצור של מכשירים אופטו-אלקטרוניים ומיקרו-אלקטרוניים כגון GaAs pHEMT, VCSEL, HBT, APD, PIN, גלאים מבוססי אנטימון- וגלאי HgCdTe. זה מיושם באופן נרחב בתקשורת ניידת, תקשורת סיבים אופטיים, בינה מלאכותית, מחשוב קוונטי, הגנה לאומית, מחקר פיזיקה חדשני ותחומים אחרים.

טכנולוגיית חימום מתקדמת PBN/PG/PBN מבטיחה אחידות מצוינת של טמפרטורת פרוסות, ומספקת בסיס יציב לצמיחה אפיטקסיאלית-גבוהה.

אימוץ מתקדם כפול טכנולוגיית מקור -נמוכה/בינונית-למקור טמפרטורה וטכנולוגיית מקור פיצוח מבוקרת של שסתומים-, שיכולה להשיג שליטה מדויקת בשטף האלומה ולשפר את איכות החומר.

מצויד בטכנולוגיית העברת רקיק אוטומטית או ידנית-באמינות גבוהה, עומדת בתרחישי שימוש שונים ומשפרת את הגמישות התפעולית.

אחידות טובה של עובי הסרט, הרכיב והסימום, כמו גם דיוק בקרה גבוה, המבטיח את העקביות ויציבות הביצועים של חומרים אפיטקסיאליים.

מכשירים אופטואלקטרוניים: משמשים בגידול של גלאים מבוססי VCSEL, APD, PIN, אנטימון-, גלאי HgCdTe וכו', התומכים במערכות תקשורת, חישה והדמיה של סיבים אופטיים.

התקנים מיקרואלקטרוניים: מיושמים להכנת GaAs pHEMT, HBT ומכשירים אחרים בתדירות גבוהה- ובעלי ביצועים גבוהים, לתקשורת ניידת, מכ"ם ושידור אלחוטי.

מחקר-מתקדם: משמש במחשוב קוונטי, מחקר חומר חדש וטכנולוגיה-מתקדמת בהגנה הלאומית, המספקת חומרים אפיטקסיאליים-איכותיים למחקר ותיעוש בסיסיים.

תגיות פופולריות: מערכת mbe, סין יצרנים, ספקים של מערכת mbe