סקירת מוצר

מערכת DSE בגודל 8-אינץ' ICP-זו היא חרט ייצור המוני- לעיבוד סיליקון ביחס-היבט- גבוה. הוא משלב כוח ICP כפול-(2MHz+13.56MHz), מודול החלפת הגז המהיר שלנו, המוגן בפטנט, ו-זיהוי נקודת קצה לייזר באתר-עם תחריט מתחלף אופטימלי של Bosch. תואם לסטנדרטים של פרוסות 8-אינץ', הוא עובד עם SOI, סיליקון מסומם ו-SiC, ומאפשר תחריט מדויק של 10μm-1000μm. הוא מאזן בין גמישות מו"פ ויציבות בייצור המוני, בשימוש בחיישני רכב, MOSFETs super-juncts ו-TSVs.

יתרונות

יחס גובה-רוחב מעולה ושליטה בפרופיל

יחס של 100:1 (צמצם של 10 מיקרומטר, עומק של 1000 מיקרומטר) באמצעות תהליך משופר של Bosch, עם אנכיות של 90 מעלות ±0.1 מעלות בדופן הצד, חספוס Ra 0.3 מיקרומטר, וללא "מיקרו-תעלות".

יעילות ייצור-במונית גבוהה

קצב חריטה של עד 50 מיקרומטר/דקה (30+ פרוסות/שעה לכל תא). 3-עיצוב מקביל לתא מספק 400 RF-h MTBC וניצול גבוה יותר ב-40%.<1.0min gas switching and ±2% wafer-to-wafer error ensure batch consistency.

נזק נמוך ודיוק גבוה

Dual-frequency power offers >סלקטיביות של 100:1 (לעומת SiO₂); דיוק נקודת קצה לייזר של 1 מיקרומטר, מושלם עבור תחריט TSV של מצע דק במיוחד.-

יכולת הסתגלות רחבה

פלטפורמת 8 אינץ' (תואמת 6 אינץ' באמצעות מנשא) עם מצב Bosch מהיר/איטי. תומך ב-Ar/O₂/C₄F₈/SF₆ עבור תהליכי MEMS/התקן כוח.

אפליקציות

01/

MEMS:תחריט תעלה/חלל עמוק עבור חיישני אינרציה/לחץ; דרגת-רכב מאומתת.

02/

מוליכים למחצה כוח:תחריט יחס רוחב-גובה של 100:1 עבור סופר-צומת MOSFET/IGBT; משמש במכשירי רכב/תעשייתיים-באמינות גבוהה.

03/

אריזה מתקדמת:תחריט TSV עבור WLP בגודל 8 אינץ'; זיהוי לייזר מבטיח אחידות עומק עבור ערימה תלת מימדית.

04/

מו"פ מיוחד:תחריט עבור מבני סיליקון שבב קוונטי וראשי הדפסה של הזרקת דיו; -אחסון מתכונים בלחיצה אחת עבור חומרים חדשים.

פרמטרים

קָטֵגוֹרִיָה	פרטים
תאימות רקיק	פרוסות IC בגודל 8 אינץ' (200 מ"מ); תואם כלפי מטה עם פרוסות 6 אינץ' (דרך מנשא)
תשתיות נתמכות	סיליקון מונו-גבישי, SOI (סיליקון-על-מבודד), סיליקון מסומם, SiC (סיליקון קרביד)
טווח עומק תחריט	10μm – 1000μm
ביצועי תהליך מפתח	- יחס גובה-רוחב: עד 100:1- אנכיות דופן צד: 90 מעלות ±0.1 מעלות - חספוס דופן: פחות או שווה ל-Ra 0.3μm- שגיאת עומק רקיק-לפלטה: ±2% (ייצור המוני)
קצב תחריט	עד 50 מיקרומטר/דקה (סיליקון, תהליך סטנדרטי של Bosch)
סלקטיביות תחריט	>100:1 (מסכה קשה של סיליקון לעומת SiO₂)
תצורת ליבה	ספק כוח ICP כפול-תדר (2MHz + 13.56MHz); מודול מיתוג מהיר בגז מוגן בפטנט; מערכת זיהוי נקודת קצה לייזר באתר-; יחידת קירור אחורית הליום
כושר ייצור	>30 פרוסות/שעה לכל תא (תהליך סטנדרטי); עיצוב מקבילי 3 חדרים אופציונלי
מדדי אמינות	MTBC (Mean Time Between Cleans): 400 RF-h; זמן החלפת גז:<1.0min
גזים תואמים	Ar, O₂, C₄F₈, SF₆, N₂ (תומך בשילוב גזים מרובה- לתהליכים מותאמים אישית)
דיוק זיהוי נקודות קצה	1 מיקרומטר (זיהוי לייזר-במקום)