GaN-MOCVD

GaN-MOCVD הוא ציוד גידול אפיטקסיאלי מיוחד המיועד להשקעת גליום ניטריד (GaN) באיכות גבוהה- וסרטים דקים מוליכים למחצה מורכבים. תוך שימוש בטכנולוגיית מתכת -Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), מערכת זו מאפשרת שליטה מדויקת על תהליך הצמיחה האפיטקסיאלית, ומשמשת כפלטפורמת ייצור ליבה לייצור חומרים מתקדמים מבוססי GaN- מוליכים למחצה. הוא תומך בגדלים של פרוסות של 4- אינץ', 6 אינץ' ו-8 אינץ', עם טמפרטורת חימום מקסימלית של 1250 מעלות ודיוק בקרת טמפרטורה יוצא דופן של פחות או שווה ל-±0.25 מעלות, מה שמבטיח את היציבות והאחידות הנדרשות לצמיחת שכבה אפיטקסיאלית בביצועים גבוהים.

אחידות מעולה: מספק שליטה מצוינת על עובי הסרט ואחידות אורך הגל, ומבטיח ביצועים עקביים על פני פרוסות ותשואות ייצור גבוהות.

תאימות גבוהה: כולל תאימות פרוסות גמישות ל-מפרט רב, התומך בפרוסות של 4 אינץ', 6 אינץ' ו-8 אינץ' כדי לעמוד בדרישות קנה המידה והתהליכים המגוונים של ייצור.

צמיחת-פגמים גבוהה-ועלייה נמוכה{{1}: עיצוב תהליכים אופטימלי מאפשר צמיחה אפיטקסיאלית-ביעילות גבוהה עם צפיפות פגמים נמוכה, מה שמשפר ישירות את הביצועים והאמינות של מכשירי קצה.

בקרת טמפרטורה מדויקת: מצויד בטכנולוגיית בקרת טמפרטורה-בדיוק גבוה (פחות מ-0.25 מעלות או שווה ל-±0.25 מעלות), המספקת סביבה תרמית יציבה לצמיחה של שכבות אפיטקסיאליות GaN באיכות-גבוהה.

עיצוב מכוון הפקה{{0}: תוכנן כדי לעמוד בדרישות של ייצור-בקנה מידה גדול,-תפוקה גבוהה, איזון פרודוקטיביות עם שיעורי פגמים נמוכים לייצור תעשייתי-.

תאורת LED ותצוגה: ציוד ליבה לייצור נוריות LED בבהירות-, מיני-לדים ונוריות מיקרו- המשמשות בתאורה כללית, תאורה אחורית ופאנלים לתצוגה.

Power Electronics: ייצור של טרנזיסטורי ניידות (HEMT) מבוססי GaN-אלקטרונים- גבוהים עבור ספקי כוח, ממירים, רכיבי רכב חשמלי (EV) ומערכות חשמל תעשייתיות.

RF ותקשורת אלחוטית: ייצור התקני תדר רדיו-Gan עבור תחנות בסיס 5G, מערכות מכ"ם וציוד תקשורת לווייני.

מכשירים אופטואלקטרוניים: ייצור של דיודות לייזר, גלאי UV ורכיבים אופטו-אלקטרוניים אחרים עבור אחסון אופטי, ציוד רפואי ויישומי חישה.

תגיות פופולריות: gan-mocvd, סין gan-mocvd יצרנים, ספקים